计算机硬盘NiP基板CMP机理及技术研究

摘要：

目前,大多数计算机硬盘采用镍磷敷镀的铝合金作为磁盘盘片,并采用化学机械抛光(CMP)技术作为盘片最终的精抛光.通过对镍磷基板的化学性质分析,讨论了其CMP机理,指出在整个反应过程中,化学反应速率是慢过程,它决定了最终的CMP速率,如何使络合反应迅速向右进行将成为CMP的关键.通过分析浆料在硬盘基板CMP中的重要性,指出浆料的化学成份是化学作用的关键.通过分析氧化剂、pH值、活性剂及螯合剂的影响作用,研制了新型碱性浆料,其中磨料为硬度较小粒径40 nm的SiO2水溶胶,氧化剂为H2O2,FA/O活性荆与螯合剂,并首次选用有机碱作为pH值调节剂.利用配制的抛光液通过CMP实验确定氧化剂含量为15 ml/,L,pH值为11,磨料浓度为20%时,获得的速率可达550 nm/min以上,粗糙度降至1.1 nm.

关键词：硬盘基板、化学机械抛光、浆料、机理、去除速率、粗糙度

分类号：TN305.2(半导体技术)

资助基金：高校博士点基金资助项目20050080007;国家自然科学安全联合基金资助项目10676008

在线出版日期：2008-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：55-59