一种封装后释放的准LIGA加工工艺研究
研究了一种准LIGA加工工艺.该工艺利用无氰电铸制作金结构层,采用PECVD制作的无定形硅作为牺牲层,利用二氟化氙(XeF2)干法腐蚀对材料选择性好的特点,采用先部分封装然后腐蚀牺牲层释放结构的工艺流程,避免了封装工艺对可动敏感结构造成的破坏.研究了无氰电铸结构中的应力梯度,发现应力梯度存在随时间缓慢释放的现象,利用热退火消除了结构中的应力梯度.同时还对厚胶光刻、类特氟隆防粘附层制备等关键工艺作了探讨.
微机电系统、准LIGA、微电铸
TN305(半导体技术)
国家自然科学基金资助项目60406009
2008-10-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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