微球体尺度对硅片表面改性效果的影响

摘要：

以单晶硅(110)和C+注入硅片后形成的表面改性层为研究对象,对C+注入单晶硅后的离子分布深度概率进行模拟计算,选择不同直径尺度的SiO2球与其配副,在UMT-Ⅱ微摩擦磨损试验机上开展微载荷和不同球径尺度下的摩擦磨损试验,分析C+注入前后硅片的摩擦系数变化规律,在MicroXAMTM超高精度三维轮廓仪和S-3000N型扫描电镜上观察硅片磨损后的微观形貌.结果表明,C+注入对单晶硅表面的摩擦磨损性能改善明显,改善效果与施加的微载荷和接触应力相关.载荷小于0.1 N时,C+注入后硅片的减摩效果不明显;载荷大于0.2 N时,C+注入后硅片的耐磨性显著提高,其磨损机理主要为磨粒磨损和粘着磨损.

关键词：单晶硅、离子注入、摩擦磨损

分类号：TN305.7(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目50405042;教育部新世纪优秀人才支持计划资助项目NCET-06-0479

在线出版日期：2008-10-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：48-51,56