氨化法制备大量单晶Ga N纳米线及其特性研究

摘要：

利用磁控溅射技术先在硅村底上制备Ga2O3/Co薄膜,然后在管式炉中通入流动的氨气在950℃对薄膜进行氨化,反应后成功制备出大量GaN纳米线.采用X射线衍射(xRD)、傅里叶红外吸收光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对样品进行分析.结果表明,采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线,纳米线的直径在50 nm～150 nm范围内,长度为几十微米.

关键词：磁控溅射、氮化镓纳米线、钴、X射线衍射

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家重大自然科学基金资助项目90201025,90301002

在线出版日期：2008-10-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：15-18