靶材自制ZAO薄膜的制备与光电性能

摘要：

采用传统陶瓷烧结工艺,制得性能良好的Al掺杂ZnO陶瓷靶.以此靶为溅射源,利用射频磁控溅射法制备ZAO薄膜,着重研究了400℃保温2 h重复退火次数对ZAO薄膜的组织结构及光电性能的影响.结果表明,随着重复退火次数的增加,薄膜晶体结构保持不变,薄膜结晶质量提高,但晶格尺寸逐渐变小;同时,随着退火次数增加,样品的平均透光率虽稍下降,但所有样品的透光率仍保持在80%以上,呈现良好的透光性;除经3次重复退火的样品外,退火使其它样品的紫外吸收边从375 nm附近移至360 nm左右;重复退火次数的增加使样品的电阻率先明显降低,再有较大的回升,之后又降低,当重复退火两次时,电阻率降至最低,为8.5×10-4 Ω·cm.对上述现象、结果及机理进行了详细讨论.

关键词：陶瓷靶、ZAO薄膜、射频磁控溅射、循环退火、电阻率、透光率

分类号：TB43;TB31(工业通用技术与设备)

在线出版日期：2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：21-25