等离子辅助化学气相沉积制备可延展的硅薄膜

摘要：

利用等离子辅助化学气相沉积方法在单晶硅基底表面制备出可延展的硅薄膜.通过对薄膜生长过程的观察,确定延展性是最终脆性硅薄膜生长的中间状态,实验证明,沉积层表现出的延展性与螺旋带等柔性材料存在本质差别,需要小于临界厚度才能呈现柔性状态的机理并不适用,沉积工艺导致的内部结构的差异才是根本原因.但沉积层中Si原子以何种晶格结构排列并且何以导致如此强大的延展性,还有待进一步研究.

关键词：化学气相沉积、薄膜、硅、延展性

分类号：TN304.055(半导体技术)

在线出版日期：2008-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：21-23