硅基铂钛夹层AAO多孔模版制备半导体量子线

摘要：

制备一种新型硅基铂钛夹层AAO模版,并用这种模版制备量子线阵列.在硅基上依次用电子束蒸镀铂膜、钛膜和铝层,把在草酸溶液中阳极氧化制备AAO模版的方法,移植到制备这种模版中.再用这种模版直流电沉积制备了Znse半导体量子线阵列.SPM表征出相当好的结果,模版孔径和量子线大小一致,且分布均匀.这种模版底层的铂膜提供了量子线的一个电极,基底硅为纳米器件集成提供了平台.

关键词：电子束蒸镀、阳极氧化、模版、量子线

分类号：TN305(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金10064066;云南大学校科研和教改项目2004Q008A

在线出版日期：2008-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：48-51