90 nm技术节点硅栅的干法刻蚀工艺研究

摘要：

进入90 nm工艺节点以后,在等离子体干法刻蚀工艺中出现了越来越多需要解决的技术性问题,带有图形的晶片(相对于白片而言)上的膜层结构设计和刻蚀工艺参数的优化技术变得越来越重要.重点以具有栅氧化层、多晶硅层、二氧化硅和氮氧化硅复合硬掩膜层的典型结构图形晶片为基础,开展应用于90 nm技术节点的多晶硅栅的刻蚀工艺的研发,深入分析了氯气、溴化氢和氧气等反应气体在工艺中的作用,优化了工艺参数,得到了满足90 nm技术节点工艺要求的刻蚀结果.

关键词：90 nm、硅栅、干法刻蚀

分类号：TN405.98+2(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G200036504;国家自然科学基金60236010;60376020

在线出版日期：2008-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：44-47