硅栅干法刻蚀工艺中腔室表面附着物研究

摘要：

用Cl2,HBr,O2和CF4为反应气体,对多晶硅栅进行了刻蚀试验,并借助X射线能谱仪器Energy Dispersive X-ray Spectrometry(EDS)进行试验样品的化学成分测定和数据分析.结果表明,淀积附着物主要是以硅元素为主体,溴、氯和氧次之的聚合物,在淀积的动态过程中,HBr起到了主要的作用,Cl2和O2在一定程度上也促进了淀积过程的进行,在工艺过程中氟元素起到了清除淀积物的作用.最后通过试验得到了反应腔室表面附着物淀积的机理性结论.

关键词：等离子体、淀积物、干法刻蚀、EDS

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分类号：TN405.98+2;TN705(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G200036504;国家自然科学基金60236010;60376020

在线出版日期：2007-07-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：45-48