基于UV-LIGA技术的新型RF MEMS开关
介绍了一种基于UV-LIGA加工技术的双稳态电磁型RF MEMS开关,该结构由于使用了永磁体单元而使得开关在维持"开"或"关"态时不需要功耗,利用牺牲层UV-LIGA技术实现了开关的微制作.非接触式Wyko NT1100光学轮廓仪的测试表明,制备的开关实现了双稳态驱动功能,驱动脉冲电流50 mA,驱动行程17 μm,响应时间20 μs;开关完成一次驱动姿态转换所需要的功耗不到3 μJ.AGILENT 8722ES型S参数网络分析仪的测试表明,开关在12 GHz时的插入损耗为-0.25 dB,隔离度为-30 dB.
射频微机电系统、开关、双稳态电磁驱动、UV-LIGA技术、牺牲层
TN61;TP271.+4(电子元件、组件)
信息产业部电科院预研资助项目41308050116;上海市重点实验室基金05DZ22309;上海-应用材料研究发展基金06SA11;上海交通大学优秀博士学位论文基金
2007-07-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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