SF6/O2气氛下Al对反应离子刻蚀Si的增强作用机理研究

摘要：

通过实验和统计分析方法研究了Al在SF6/O2气体干法刻蚀Si中的增强作用机理.研究表明,Al在SF6/O2刻蚀Si中具有增强作用,而且Al的增强作用基本独立,受其它刻蚀条件的影响较小.Al对Si刻蚀速率的增强作用并非都是由于衬底温度升高所致,而是Al表面形成的AlF单原子层起到了催化作用,使SF6分解出更多的F自由基,从而提高了Si的刻蚀速率.

关键词：反应离子刻蚀、Al、SF6/O2、催化作用

分类号：TN305.7(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60476032;上海市自然科学基金05ZR14015

在线出版日期：2007-07-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：56-59