MEMS器件牺牲层腐蚀释放技术研究

摘要：

以非制冷红外焦平面阵列和热剪切应力传感器为代表,分析了这两种典型的薄膜悬浮结构和带空腔结构的MEMS器件在进行二氧化硅牺牲层的腐蚀和最终结构释放过程中的各种问题.根据二氧化硅的腐蚀机理,指导了对腐蚀孔(槽)的设计,通过测量不同条件下的腐蚀速度,得出升温、超声、适时更换腐蚀液是加快腐蚀速度的方法,基于粘连现象中拉起长度的概念,提出基于硅衬底下突点制作及释放牺牲层的方法,并获得了成功释放.

关键词：MEMS、牺牲层、粘连、拉起长度、突点、自终止、升华、释放

分类号：TN305.7(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60576053;国家高技术研究发展计划863计划2005AA404210

在线出版日期：2007-06-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：58-62