压电型微悬臂梁制备中RIE刻蚀硅工艺的研究

摘要：

介绍了一种压电型微悬臂梁的制作工艺流程,重点研究了其中硅的反应离子刻蚀(RIE)工艺,分析了工艺参数对刻蚀速率、均匀性和选择比的影响,提出通过适当调整气体流量、射频功率和工作气压,以加快刻蚀速率,改善均匀性,提高选择比.研究表明,在SF6流量为20 mL/min,射频功率为20 W,工作气压为8.00 Pa的工艺条件下,硅刻蚀速率可以提高到401 nm/min,75 mm(3 in.)基片范围内的均匀性为±3.85%,硅和光刻胶的刻蚀选择比达到7.80.为制备压电悬臂梁或其它含功能薄膜的微结构提供了良好的参考.

关键词：压电型微悬臂梁、反应离子刻蚀、刻蚀速度、均匀性、选择比

分类号：TN305.7(半导体技术)

在线出版日期：2007-06-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：47-50,54