EUV掩模版在曝光过程中的热变形

摘要：

极紫外光刻(EUVL)技术是实现45 nm特征尺寸的候选技术之一,产业化设备要求300 mm硅片的产率大于每小时80片(80 wafer/h),此时入射到掩模版上的极紫外光功率密度很高,掩模版上的吸收层和Mo/Si多层膜将分别吸收100%和35%的入射光能量,从而导致其热变形,引起光刻性能下降,因此必须分析和控制掩模热变形.利用有限元方法分析掩模版在不同功率密度下的热变形,结果表明,抗蚀剂灵敏度为7 mJ/cm2和5 mJ/cm2时,入射到掩模版上的光功率密度分别为259.24 W/cm2和184.38 W/cm2,掩模版图形区域x-y平面内最大变形分别为1.11 nm和0.71 nm,z方向最大变形分别为0.26 nm和0.19 nm.

关键词：极紫外光刻、热变形、掩模版、曝光、有限元方法、抗蚀剂

分类号：TN305.7(半导体技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划;国家重点基础研究发展计划973计划2003CB716204

在线出版日期：2006-12-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：21-24