用于微流控芯片系统的超疏水表面的制备

摘要：

为了分析超疏水表面的物理特性及应用前景,介绍了粗糙超疏水表面的两种理论模型,提出了一种基于MEMS加工技术的超疏水表面制备工艺,即利用ICP刻蚀工艺制备规则的硅方柱,并用旋转涂覆TeflonR AF1600作为疏水薄膜,制备了疏水特性可控的硅表面.对接触角进行了测量,结果表明,在平整Teflon薄膜表面上,去离子水液滴的本征接触角约为117 °,在边长间距比为10 μm/35 μm的方柱表面上的去离子水液滴显现接触角可达170 °.另处,还给出了为避免Wenzel液滴出现的"安全"设计参数(方柱间距边长比小于2.5),以及一种基于润湿性梯度的微流体操控方案.

关键词：超疏水表面、微机械、ICP刻蚀

分类号：TP3(计算技术、计算机技术)

资助基金：国家自然科学基金10472055;60401009;清华大学校科研和教改项目JC2003060;JC2003061

在线出版日期：2006-12-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：36-39