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浸没式ArF光刻系统中光学因素对L形图形的影响

引用
利用Prolith 9.0软件计算了浸没式ArF光刻中杂散光、光线偏振态和几何像差对目标线宽为65 nm的L形图形成像质量和光刻性能的影响,研究了杂散光、光线偏振态和几何像差对L形图形成像质量和光刻性能的影响规律.结果表明,杂散光使得L形图形图像对比度降低、线宽减小和图形位置误差增大;像散、慧差和球差可导致成像质量降低、线宽和图形位置误差增大;通过调整光线偏振态,可以提高成像质量、改善光刻性能、抑制L形图形对杂散光和像差的敏感度.

杂散光、偏振、像差、浸没式光刻、Prolith9.0

TP3(计算技术、计算机技术)

中国科学院"百人计划"20011215;国家重点基础研究发展计划973计划2003CB716204

2006-12-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

14-17,39

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微细加工技术

1003-8213

43-1140/TN

2006,(3)

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