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高温氨化合成GaN微晶

引用
分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较.结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN.

氨化、Ga源温度、合成、GaN晶粒

TN104.3(真空电子技术)

国家自然科学基金90201025;90301002

2006-06-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

37-40,44

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微细加工技术

1003-8213

43-1140/TN

2006,(2)

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