射频磁控溅射法制备(111)取向Pt薄膜

摘要：

以稀土元素Pr薄膜为缓冲层,采用低功率射频磁控溅射法在室温玻璃衬底上成功制备了(111)强烈取向的Pt薄膜,研究了退火热处理工艺对Pt薄膜择优取向及晶粒尺寸的影响规律,并对Pt(111)取向生长机制进行了初步探讨.结果表明,所采用的退火工艺能够促进Pt纳米晶粒的逐步长大,但对Pt薄膜沿(111)择优取向生长的影响并不明显;保温5 h时晶粒生长较快,延长保温时间对晶粒生长速度的影响不大,但随着退火时间的增加,薄膜质量会越来越好.稀土Pr对Pt(111)择优取向生长可能有一定的促进作用.从简化工艺及降低成本角度考虑,该工艺优于以往的制备工艺,可望用做制备高取向PZT铁电薄膜所需的(111)强烈取向Pt底电极.

关键词：Pt、Pr、薄膜、(111)择优取向、射频磁控溅射、热处理工艺、生长机制

分类号：TB43;TB31(工业通用技术与设备)

资助基金：中国科学院资助项目50261002

在线出版日期：2006-06-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：33-36,44