电子束曝光模拟中电子弹性散射的新模型

摘要：

传统的卢瑟福弹性散射模型不适用于描述电子和原子序数较高(Z＞4)的材料的弹性相互作用.给出一种模型,此模型采用Thomas-Fermi-Dirac(TFD)势能作为原子势,利用波恩近似法解薛定谔波动方程,得到弹性散射截面.利用此模型计算了H,Li,C,O和Si几种元素的弹性散射截面,并将结果和卢瑟福弹性散射模型的结果以及弹性散射的精确模型--Mott截面模型的结果进行了比较,发现在入射电子能量较高(E＞5 keV),材料原子序数较大(Z＞4)的条件下,此模型的计算结果和Mott截面的结果很接近,说明在该条件下此模型比卢瑟福弹性模型更精确,适用于描述高能电子和较高原子序数材料的弹性相互作用.此外,还对此模型进行了相对论修正,发现当入射电子能量达到100 keV时,相对论效应很明显.

关键词：电子束曝光(EBL)、卢瑟福弹性散射模型、Thomas-Fermi-Dirac(TFD)势能、相对论修正

分类号：TN305.7(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2003CB716204

在线出版日期：2006-06-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：8-11