场发射硅锥阵列的干法制备与研究

摘要：

阐述了用于场发射压力传感器发射阴极的硅锥阵列的干法制备工艺,用反应离子刻蚀(RIE)的方法在76 mm(3 in.)的低阻硅片上制备出52个均匀分布的10×12的硅锥阵列,得到了曲率半径为25 nm～35 nm且具有良好一致性的尖锥.当阵列的场发射起始电压为1.4 V/μm,场强为9.2 V/μm时,单个硅锥的发射电流达到8.3 nA,并且性能较为稳定.

关键词：硅锥、干法刻蚀、RIE、场发射

分类号：TN304(半导体技术)

在线出版日期：2006-05-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：56-60