溅射法制备BST纳米薄膜电学性能的研究

摘要：

采用射频磁控溅射与微细加工技术,制得Cu/BST/Pt/Ti/SiO2/Si的MIM(金属-绝缘体-金属)微电容结构.研究了不同退火时间、薄膜厚度对钛酸锶钡(BST)纳米薄膜介电常数和漏电流密度的影响,结果表明,随着退火时间的延长,BST纳米薄膜结晶度提高,介电常数增加,退火30 min的纳米薄膜具有最高的介电常数和较小的漏电流密度.同时还得出介电常数随薄膜厚度的减少而减少,在0.1 MV/cm下,90 nm和50 nm薄膜的漏电流密度分别为5.35×10-8 A/cm2和6×10-6 A/cm2.

关键词：BST、磁控溅射、膜厚、介电性能

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：上海市纳米科技专项基金0214nm032;教育部重点项目重大0307;上海市AM基金0511

在线出版日期：2006-05-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：32-35