发光二极管阵列中上隔离沟槽的设计与制备

摘要：

分析了发光二极管阵列上隔离沟槽的理想尺寸.采用湿法腐蚀方法对金属层、p-GaP层及多层AlGaInP进行了逐层腐蚀,完成了宽2 μm深6 μm的上隔离沟槽的制作.腐蚀后的上隔离沟槽边缘平整,其深度和宽度可以解决注入电流在相邻像素之间产生的干扰问题.

关键词：微显示器件、发光二极管阵列、隔离沟槽、湿法腐蚀、欧姆接触、AlGaInP、GaP

分类号：TN31(半导体技术)

资助基金：吉林省科技发展计划20030513

在线出版日期：2006-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：76-80