蓝宝石衬底片化学机械抛光的研究

摘要：

为了提高蓝宝石化学机械抛光(CMP)效果,对其抛光工艺进行了研究.采用SiO2磨料对蓝宝石衬底片进行抛光,分析了抛光时的温度、pH条件、磨料粒径及浓度,结果表明,采用80 nm大粒径、高浓度的SiO2磨料,既可以保证抛光速率,又能得到良好的表面状态;当pH值在10～12时,可加速蓝宝石在碱性条件下的化学反应速率,从而提高抛光速率;在30 ℃时,能较好地平衡化学作用与机械作用,获得平滑表面;加入适量添加剂,可增大反应产物的体积,易于提高机械作用的效果,以获得较高的去除速率.

关键词：蓝宝石、化学机械抛光、纳米硅溶胶

分类号：TN305.2(半导体技术)

资助基金：天津市科技攻关项目043801211

在线出版日期：2006-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：65-68