一种用于硅基MEMS加工的深刻蚀技术

摘要：

研究了光辅助电化学刻蚀技术,并特别研究了阵列和硅衬底之间的边缘效应.在阵列边缘由于电流分布不均匀以及空穴从孔的侧壁注入,因此可以在边缘区域观察到结构的坍塌,采用一个周期性变化的信号来调制光照的强度,边缘效应会得到一定的抑制.同时,也观察到了硅的电化学深刻蚀工艺中大电流情况下的抛光现象(阳极氧化条件下,硅表面在氢氟酸溶液中快速均匀溶解不形成孔的现象).光学测试表明,制作的正方格子结构具有光子晶体行为,其光学禁带位于6 μm附近.

关键词：电化学刻蚀、DRIE、深沟槽、深孔、光子晶体

分类号：TN305.7(半导体技术)

资助基金：上海市自然科学基金03ZR14023;上海市AM基金0409;上海市教委"曙光计划"04SG29

在线出版日期：2006-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：37-41