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基于光刻胶回流特性的平面化工艺

引用
研究了一种利用光刻胶的回流特性去除表面的磨痕,使其表面平整化的方法,结合牺牲层结构可以非常简便地制备出微机电器件中各种悬臂梁结构.着重研究了光刻胶的前烘胶温度、回流温度、回流时间对回流效果的影响.通过大量的实验得到了较好的回流工艺,即光刻胶90 ℃下60 min前烘后,并在90 ℃下回流60 min,不但能通过机械抛光准确控制减薄厚度,而且还可以完全除去其表面的磨痕,获得平滑的表面结构.

光刻胶、回流、平面化、牺牲层

TN305.7(半导体技术)

2006-03-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

12-15,30

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微细加工技术

1003-8213

43-1140/TN

2005,(4)

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