斜拉梁结构的RF-MEMS开关制作研究

摘要：

介绍了一种新型斜拉梁结构的电容耦合式开关的制作.该开关的上电极采用斜拉梁支撑结构以提高上电极的平整性和开关整体的可靠性,通过优化开关的结构,将开关的谐振点频率降低到20 GHz附近.制作过程中将平面工艺和垂直喷镀工艺相结合,获得了较厚的共面波导传输线.开关的驱动电压为20 V,在20 GHz下,”开”态插入损耗为1.03 dB,”关”态隔离度为26.5 dB.

关键词：开关、射频微机电系统、共面波导

分类号：TP271+.4(自动化技术及设备)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G1999033105

在线出版日期：2005-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：48-52