电子束曝光中电子散射模型的优化

摘要：

提出了在0.1 keV～30 keV能量范围内进行电子束曝光Monte Carlo模拟的分段散射模型优化方案.在该方案中,对所有的弹性散射均采用精确的Mott弹性散射截面.而对非弹性散射,当能量处于E0≤10 keV,10 keV＜E0≤20 keV和E0＞20 keV时,分别采用了Jov修正的Bethe公式、通常的Bethe公式和相对论效应修正的Bethe公式来计算总能量损失率;当E0≤20 keV和E0＞20 keV时,分别采用了Grvzinskv截面和Moller截面计算离散的能量损失率.发现模拟结果与实验结果很好地吻合,这比采用单一的散射模型和不考虑二次电子的Bethe公式得到的模拟结果更加符合实际的电子散射过程,其精度更高.

关键词：电子束曝光、散射模型、Monte Carlo方法、二次电子

分类号：TN305.7(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;山东省自然科学基金;山东省科技攻关计划

在线出版日期：2005-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：14-19