X射线掩模电子束制备图形过程中的数值研究

摘要：

得到移动光源照射下平板温度分布的理论解,验证了有限元方法的正确性.建立了X射线掩模电子束制备图形过程中传热的三维有限元模型,给出了掩模瞬态温度变化规律.结果表明,辐射是X射线掩模在图形制备中必须考虑的重要因素之一,当不考虑辐射时,掩模瞬时最高温度随时间振荡升高,最高温度为35.20℃;当考虑辐射时,掩模瞬时最高温度随时间周期变化,最高温度为26.95℃.

关键词：掩模、电子束书写、温度分布、图形制备、有限元分析

分类号：TN305.7(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金59976004

在线出版日期：2005-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：20-23,50