厚胶光刻中光敏化合物浓度空间分布研究

摘要：

厚胶光刻过程是一个复杂的非线性过程,其光刻胶内光敏化合物(PAC)浓度空间分布是影响显影面形的主要因素.根据厚层胶光刻的特点,结合光化学反应机理,利用角谱理论,分析了在曝光过程中光刻胶内衍射光场和PAC浓度的空间分布随时间的动态变化,以及后烘(PEB)过程对PAC浓度空间分布的影响.该方法数值计算结果准确,且速度快.数值模拟表明,其内部衍射光场分布与PAC浓度分布是一个动态的、非线性的相互影响过程;后烘工艺可平滑PAC浓度空间分布;PAC浓度空间分布是影响浮雕面形边沿陡度的一个重要因素.

关键词：光刻、厚层光刻胶、PAC浓度分布、曝光、后烘

分类号：TN305.7(半导体技术)

资助基金：中国科学院资助项目60276018;国家重点实验室基金

在线出版日期：2005-05-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：48-53