离轴照明对ArF浸没式光刻的影响

摘要：

研究了离轴照明对65 nm分辨率ArF浸没式光刻的影响.在3/4环形照明和3/4四极照明方式下,研究65 nm线宽的密集线条、半密集线条、孤立线条在较大曝光系统参数范围内的光刻性能,并对不同照明方式的光刻性能进行了比较.结果表明,在可用焦深(depth of focus,DOF)范围内,满足光刻性能要求可以有较大范围的曝光系统参数配置.离轴照明的焦深比传统照明提高100%～150%,采用四极照明对孤立线条进行曝光,可以获得更好的光刻性能.

关键词：离轴照明、ArF浸没式光刻、仿真、PROLITH

分类号：TN305.7(半导体技术)

资助基金：中国科学院引进国外杰出人才基金;国家高技术研究发展计划863计划SSPC-03-11-01

在线出版日期：2005-05-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：43-47,57