二次X射线曝光制作凹面光栅

摘要：

介绍了一种通过微细加工技术即二次X射线曝光制作凹面光栅的方法.首先利用X射线截面光强遵循高斯分布的性质,无LIGA掩模版曝光显影后在PMMA上得到凹面,凹面深度可由曝光时间控制;再用带有光栅图案的LIGA掩模版第二次曝光显影在凹面上制作光栅.利用不同的掩模版,非常方便地制作了一维和二维凹面光栅,其粗糙度RMS值小于20 nm.

关键词：微细加工技术、二次X射线曝光、高斯分布、凹面光栅

分类号：TN305.7(半导体技术)

在线出版日期：2005-05-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：29-31