氧化多孔硅上制作Cu电感的研究

摘要：

给出了一种厚膜氧化多孔硅(OPS)层上制作Cu电感的新型工艺技术.由于OPS是一种低损耗的材料,铜的电阻率很低,采用OPS隔离硅衬底和Cu线圈能够降低电感的寄生损耗,提高电感Q值.实验过程中将孔隙度＞56%的多孔硅厚膜利用两步氧化法氧化为OPS厚膜,通过种子层溅射/光刻/电镀Cu/刻蚀种子层的方法完成了Cu线圈的电镀.获得了1 nH的电感,其Q值在10 GHz的频率下达到了9,电感的自谐振频率超过20 GHz.

关键词：氧化多孔硅、电镀、电感、射频

分类号：TN305;TN405(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G1999033105

在线出版日期：2005-02-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：50-55