基于SOI的双极场效应晶体管

摘要：

在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件--双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流,可产生较大的寄生效应.提出了一种新型固体电子器件--基于SOI的BJMOSFET,分析了其工作原理.与体硅BJMOSFET比较,由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应,使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性.

关键词：双极MOS场效应晶体管、绝缘衬底上的硅、体硅、固体电子器件

分类号：TN32(半导体技术)

在线出版日期：2005-02-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：16-21