X射线光刻掩模背面刻蚀过程中的形变仿真

摘要：

开发了理论模型以验证有限元方法用于X射线光刻掩模刻蚀过程数值仿真的正确性.利用相同的有限元技术,对X射线光刻掩模的背面开窗、Si片刻蚀过程进行数值仿真.结果表明,图形区域的最大平面内形变(IPD)出现在上、下边缘处,最大非平面形变(OPD)出现在左、右边缘处.此外对Si片单载荷步刻蚀和多载荷步刻蚀的仿真进行比较,结果表明图形区域最终的形变量与Si片刻蚀的过程无关.

关键词：X射线掩模、掩模形变、背面刻蚀、有限元、平面内形变、非平面形变

分类号：TN305.7(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金59976004

在线出版日期：2004-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：19-23,28