双离子束溅射制备SiNx薄膜的光致发光性质

摘要：

采用双离子束溅射法制备了SiNx薄膜,用XRD、XPS、FTIR等对薄膜的结构进行了表征,并且分析了样品的光致发光(PL)特性.发现在225 nm的紫外光激发下,样品在室温下可发射高强度的可见光,峰位分别位于470 nm、520 nm和620 nm,用能隙态模型讨论了可能的发光机理.

关键词：SiNx薄膜、双离子束溅射、光致发光(PL)

分类号：TN304.55(半导体技术)

资助基金：江苏省教育厅自然科学基金03KJB140116

在线出版日期：2004-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：51-54