TiN基磁性薄膜的研究

摘要：

用射频磁控溅射技术制备了TiN掺Co的薄膜样品.400 ℃真空退火后,振动样品磁强计测量(VSM)表明,样品在室温下具有显著的铁磁性.其饱和磁化强度为2.93×108 A/m,饱和磁场强度约160 kA/m,矫顽力32 kA/m.超导量子干涉仪(SQUID)测量M-T曲线得出其居里温度在360 K以上,X射线衍射实验表明样品具有TiN样品的衍射峰.利用四探针测试仪测量电阻率得出ρ=4.824×10-5 Ω·m.

关键词：磁控溅射、TiN、磁性薄膜、自旋电子学

分类号：TM277(电工材料)

资助基金：国家自然科学基金50171036,10234010;国家重点基础研究发展计划973计划973011CB610603

在线出版日期：2004-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：47-50