含铝的富硅二氧化硅薄膜的发光特性及结构

摘要：

采用双离子束共溅射技术制备出掺铝的富硅二氧化硅复合薄膜(AlSiO),采用荧光分光光度计对样品进行PL测试表明:AlSiO复合膜共有三个发光峰,分别在370 nm、410 nm、510 nm处.发光峰的位置随铝含量的变化基本上没有改变,峰强随铝含量有变化,且510 nm处的峰强随铝含量增加而增强.PLE结果表明:370 nm和410 nm的PL峰与样品中的氧空位缺陷有关,而510 nm的PL峰则是由于铝的掺入改变了样品中的缺陷状态所致,是Al、Si、O共同而复杂的作用.

关键词：铝、掺杂、富硅二氧化硅、光致发光

分类号：TN304.055(半导体技术)

资助基金：江苏省高校自然科学基金Q2108104

在线出版日期：2004-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：42-46