Si基ZnO/Ga2O3氨化反应制备GaN薄膜

摘要：

利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,接着溅射Ga2O3薄膜,然后ZnO/Ga2O3膜在开管炉中850 ℃常压下通氨气进行氨化,反应自组装生成GaN薄膜.XRD测量结果表明利用该方法制备的GaN薄膜是沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿多晶结构的薄膜,利用傅里叶红外吸收光谱仪测量了薄膜的红外吸收谱,利用SEM和TEM观测了薄膜形貌,PL测量结果发现了位于350 nm和421 nm处的室温光致发光峰.

关键词：Ga2O3薄膜、ZnO缓冲层、氨化、自组装、射频磁控溅射

分类号：TN304.2+3(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金90301002,90201025

在线出版日期：2004-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：37-41