反应离子束刻蚀应用于光刻胶灰化技术研究

摘要：

以AZ1500光刻胶为例,将氧气作为工作气体的反应离子束刻蚀工艺用于光刻胶图形的灰化处理,以去除经紫外曝光-显影后光栅中的残余光刻胶.研究结果表明灰化速率有随束流密度呈线性增加的趋势.经过反应离子束刻蚀后,光栅槽底残余光刻胶被去除干净,同时线条的宽度变细,在一定程度上达到修正光刻胶光栅线条占空比的目的.用原子力显微镜检测,无光刻胶的K9基片表面在灰化工艺前后其粗糙度无明显变化.该工艺具有良好的可控性,解决了在厚基片上制作大口径衍射光学元件时残余光刻胶的去除问题.

关键词：反应离子束刻蚀、光刻胶灰化、灰化速率、占空比、衍射光学元件

分类号：TN305.7(半导体技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划863-804-9-2

在线出版日期：2004-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：23-26