期刊专题

DY-2001A型纳米级电子束曝光机中静电偏转器的设计

引用
基于纳米曝光要求和JSM-35CF型扫描电镜,设计了一组上下偏转器长度不一致的静电偏转器,使偏转灵敏度大大提高.采用二阶有限元法计算了八极静电偏转器的轴上场分布.高精度的场分布有利于高级像差.为了使系统的总体像差最小,结合具体电子光学系统,用最小二乘法对偏转器的激励强度、转角及其在系统中的位置进行优化,得到直至五级分量的像差.动态校正后,偏转场为80μm×80μm时,束斑分辨率约为3.2 am;偏转场大小为1 mm×1 mm时,束斑分辨率约为29.8 nm.结果表明,应用该组静电偏转器的电子光学系统的分辨率满足纳米曝光的要求.

静电偏转器、二阶有限元、优化、像差

TN305.7(半导体技术)

中国科学院知识创新工程项目KGCX1-Y-8

2004-07-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

23-27,46

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微细加工技术

1003-8213

43-1140/TN

2004,(1)

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