氮化镓薄膜的研究进展

李忠杨利薛成山魏芹芹

山东师范大学;

摘要：

主要讨论了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料氮化镓(GaN)薄膜的制备工艺、掺杂、衬底和缓冲层等相关问题,并提出了目前GaN研究中所面临的主要问题以及氮化镓材料的应用前景.

关键词：氮化镓、薄膜、半导体

分类号：O484(固体物理学)

在线出版日期：2004-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：39-44