AZ9260光刻胶制作连续非球面微透镜阵列的研究

摘要：

为解决研制深浮雕连续非球面微光学元件所面临的浮雕深度和面型控制这两大难点,选取吸收系数小的AZ9260正性光刻胶进行实验研究.提出了采用低温长时间前烘和连续升温后烘技术实现深浮雕结构和非球面面型的控制,并得到口径为300 μm、抗蚀剂厚度为35.49μm、石英刻蚀深度为72.36μm双曲线柱面透镜的最佳光刻工艺参数.实验曲线与标准双曲线拟合所得最大误差为2.363 7μm,均方根差为0.977 9 μm.

关键词：AZ9260光刻胶、连续非球面微透镜阵列、深浮雕、面型控制

分类号：TN305.7(半导体技术)

资助基金：中国科学院知识创新工程项目KGCX2-402

在线出版日期：2004-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：22-26