偏晶向(111)硅片闪耀光栅的设计

摘要：

利用硅单晶的特殊结构可以设计出不同角度的闪耀光栅,再使用MEMS的紫外光刻、各向异性腐蚀等常规工艺就可以完成硅闪耀光栅的制作.设计了一种利用偏转晶向(111)硅片制作小角度闪耀光栅的方法,避免了利用其它晶向的硅片制作闪耀光栅的缺点.利用这种方法制作了线宽为4 μm的硅闪耀光栅,使用原子力显微镜(AFM)进行了光栅表面形貌测试,得到平均表面粗糙度为110.94 nm,试验结果表明制作的硅光栅样片具有良好光学特性的反射表面和光栅槽形.

关键词：(111)硅片、闪耀光栅、体硅技术、微制造、MEMS、湿法腐蚀

分类号：TN305.7(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划973-G1999033107;中国科学院知识创新工程项目C02X01Z;中国科学院青年基金CO1Q07

在线出版日期：2004-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：18-21,26