极紫外投影光刻掩模技术
介绍了掩模基片的技术要求,分析了制备掩模多层膜的难点以及相应的解决措施,然后讲解了吸收层干刻法制备掩模的工艺流程,最后介绍了掩模缺陷的检测技术并概述了极紫外投影光刻掩模技术的现状.
极紫外、投影光刻、多层膜、掩模
TN305.7(半导体技术)
国家自然科学基金69938020;国家重点实验室基金
2004-07-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
16-21,41
极紫外、投影光刻、多层膜、掩模
TN305.7(半导体技术)
国家自然科学基金69938020;国家重点实验室基金
2004-07-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
16-21,41
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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