离子注入改进硅光伏特性研究的发展动态

摘要：

简述了利用缺陷促进硅光吸收特性的发展历史,概括了用离子注入引入局域缺陷,改进硅光吸收的技术,介绍了多国学者针对局域缺陷改进硅光吸收技术的研究结果及发展趋势.

关键词：硅、红外吸收、光伏效应

分类号：TN304.1+2(半导体技术)

在线出版日期：2004-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1-4,21