反应离子刻蚀PMMA的各向异性刻蚀研究

摘要：

研究目的是优化Ni掩模PMMA RIE的刻蚀参数,在氧刻蚀气体中加入表面钝化性气体CHF3,以较快的刻蚀速率获得垂直的侧壁和最小的掩模钻蚀.采用平行板结构的反应离子刻蚀机刻蚀,研究了刻蚀气压、CHF3/O2比率和刻蚀温度对垂直、侧向刻蚀速率和PMMA微结构形貌的影响.试验表明:当CHF3含量大于50%或O2工作气压较低时,会显著影响RV/RL比,当RV/RL比大于8时,试样呈现出完全各向异性刻蚀.

关键词：PMMA、RIE、各向异性刻蚀

分类号：TN305.7(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金50075055

在线出版日期：2004-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：54-57