PECVD法制备低介电常数含氟碳膜研究

摘要：

采用PECVD法制备了低介电常数薄膜a-C:F,研究了薄膜沉积速率与温度及射频功率的关系,测量了不同沉积条件下薄膜的介电常数,并用FTIR分析了薄膜的化学结构及成分,发现薄膜沉积速率与沉积条件密切相关,其介电性与其化学结构以及沉积条件密切相关.

关键词：a-C:F薄膜、沉积速率、介电常数、PECVD、射频功率

分类号：TN304.055(半导体技术)

在线出版日期：2004-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：40-44