减小光刻中驻波效应的新方法研究
光刻过程中,抗蚀剂内部光敏混合物(PAC)浓度受光场的影响呈驻波分布,导致抗蚀剂显影后的侧壁轮廓成锯齿状.分析了后烘(PEB)对PAC浓度分布的影响,模拟了不同后烘扩散长度下的抗蚀剂显影轮廓,从模拟结果可知利用后烘可明显减小驻波效应,得到平滑的抗蚀剂显影轮廓,提高光刻质量.
后烘(PEB)、光敏混合物(PAC)、驻波效应、模拟
TN305.7(半导体技术)
2004-07-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
36-39,44
后烘(PEB)、光敏混合物(PAC)、驻波效应、模拟
TN305.7(半导体技术)
2004-07-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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