超精细图案光刻技术的研究与发展

摘要：

根据国内外研究和发展现状,对有望突破100nm超精细图案光刻分辨率的一些关键技术进行了阐述,其中包括曝光技术、掩模技术、光学系统改进和以离轴照明、相位移掩模、多重滤光和图形演算为代表的分辨率增强技术等.

关键词：超精细图案、光刻分辨率、曝光技术、掩模技术、光学系统、分辨率增强技术

分类号：TN305.7(半导体技术)

在线出版日期：2004-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

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