场发射阵列发射性能下降机制分析

摘要：

场发射阵列(FEA)发射性能的下降是场发射显示(FED)研究中普遍遇到的一个问题,研究FEA发射性能下降的机制对于推进FED进展具有重要意义.阴极氧化、溅射损伤和离子注入是目前提出的三种解释.对这三种解释进行了进一步的分析和讨论,认为目前的实验工作还不足以充分说明哪种机制在FEA发射性能下降中占据主导地位,并提出了进一步的实验研究的方向和内容.

关键词：场发射阵列(FEA)、氧化、溅射、离子注入

分类号：TN102(真空电子技术)

在线出版日期：2004-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：70-74